在注入能量小于1keV的情況下，現有的離子注入裝備已經很難調出穩定的束流來完成工藝需求，哪怕是用較高能量的萃取電壓來得到離子束，然后再將離子束降低到所需的注入能量 。
為解決這一困難 ，  業界用磷和砷的二聚和多聚離子，如、、、P2、P4、AS2、AS4 來取代N型 的P和As來作為NMOS管源漏極（SD）及源漏擴大結構（SDE）離子 注入源 。由于要得到相應的注入射程，二聚和四聚離子的注入能量會高很多，對于離子注入機來講，就可以得到相對高的束流；并且同時注入多個原子，也大大提高了注入效力 。而對于PMOS來講，含硼的大份子，如、、B10H14、B18H22、C2B10H12 等則用來取代傳統的B或BF2 離子注入，以構成源漏擴大結構的超淺結 。
【molecular implants 大份子離子注入】

文章插圖
如圖10.2所示，在等效的注入能量相同的情況下，B18 和B36 可以得到更大的注入束流 。而傳統的離子注入，雖然用很高的萃取比可以得到較大的注入束流， 但是一方面離子束流不穩定 ， 容易隨著距離放大而散焦，另外一方面 ，  離子束所帶的能量不純 ， 容易造成能量污染 。用 B18 和B36，在等效于單個硼離子能量300eV條件下進行離子注入所得到的硼元素的縱向散布如圖10.3所示 ， 可以得到結深在10nm左右，縱向散布很陡的硼攙雜 。
除了上述的優點外，用大份子離子注入還有另外一個不言而喻的好處：由于團半徑大，質量數高，不用前置的非晶化離子注入就能夠得到界面比較平整的非晶態層（見圖10.4），經過熱處理后也比較容易重新結晶化為形貌完全的單晶；而且大份子離子注入本身是攙雜和非晶態二合一的注入過程，它所造成的硅襯底的晶格損傷和缺點會比傳統的注入方式低很多 。正是由于具有上述優點 ， 大份子離子注入應用在器件的制造上表現出一些優良的電學性能（見圖10.5） 。
關于本次1．大份子離子注入（molecular implants）的問題分享到這里就結束了，如果解決了您的問題，我們非常高興 。

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