早在2014年6月24日,國(guó)務(wù)院印發(fā)《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推動(dòng)綱領(lǐng)》,將集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展上升為國(guó)家戰(zhàn)略 。當(dāng)年9月24日,國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金。
【突然殺出一個(gè)合肥長(zhǎng)鑫】9月21日,2019世界制造業(yè)大會(huì)制造強(qiáng)國(guó)建設(shè)專(zhuān)家論壇在合肥召開(kāi),合肥長(zhǎng)鑫宣布總投資1500億元的合肥長(zhǎng)鑫DRAM芯片自主制造項(xiàng)目投產(chǎn),將生產(chǎn)國(guó)內(nèi)第一代基于10nm級(jí)(19nm)制程工藝的8Gb DDR4內(nèi)存 。

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朱一明表示,“投產(chǎn)的8Gb DDR4通過(guò)了多個(gè)國(guó)內(nèi)外大客戶(hù)的驗(yàn)證,今年底正式交付,另有一款供移動(dòng)終端使用的低功耗產(chǎn)品也即將投產(chǎn) 。”
到了今年5月14日,京東上架第一個(gè)純國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存(采取國(guó)產(chǎn)長(zhǎng)鑫顆粒)——光威弈系列Pro,這是合肥長(zhǎng)鑫的第一個(gè)消費(fèi)級(jí)DRAM芯片產(chǎn)品 。
在2016年5月立項(xiàng)到2020年5月14日消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品上市,短短的五年時(shí)間內(nèi)內(nèi),合肥長(zhǎng)鑫在元件、光罩、設(shè)計(jì)、制造和測(cè)試領(lǐng)域都積累了許多的技術(shù)和經(jīng)驗(yàn) 。
截止到5月19日 , 公開(kāi)查詢(xún)到合肥長(zhǎng)鑫的發(fā)明專(zhuān)利及授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利超過(guò)850項(xiàng),取得轉(zhuǎn)移專(zhuān)利50余項(xiàng),在一份“不公布發(fā)明人”的轉(zhuǎn)移專(zhuān)利中 , 我們看到了一份名為“隔離溝槽的填充方法、裝備及隔離溝槽的填充結(jié)構(gòu)”的專(zhuān)利,這便是現(xiàn)階段合肥長(zhǎng)鑫DRAM芯片的主要技術(shù)之一 。
除了自主研發(fā)外,合肥長(zhǎng)鑫的另外一個(gè)關(guān)鍵詞是“奇夢(mèng)達(dá)” , 這是朱一明歐洲之行的另外一個(gè)成果 。
關(guān)于本次突然殺出一個(gè)合肥長(zhǎng)鑫的問(wèn)題分享到這里就結(jié)束了,如果解決了您的問(wèn)題 , 我們非常高興 。
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